[发明专利]一种钛片基底上二硫化钴纳米带组装结构的合成方法有效

专利信息
申请号: 201710146654.9 申请日: 2017-03-13
公开(公告)号: CN106984334B 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 杨金虎;刘光磊;张棪;贺婷;冯楠 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: B01J27/043 分类号: B01J27/043;C25B1/04
代理公司: 31225 上海科盛知识产权代理有限公司 代理人: 陈亮<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种钛片基底上二硫化钴纳米带组装结构的合成方法,包括钛基底上氢氧化钴纳米带的合成、钛基底上四氧化三钴纳米带的制备、钛基底上二硫化钴纳米带的制备等步骤,制备得到钛片基底上二硫化钴纳米带组装结构。与现有技术相比,本发明简单易行,重复性好,得到的二硫化钴纳米带形貌新颖,均匀分布在钛基底表面,结构稳定,而且与钛基底牢固接触,有利于电子传输和界面反应。本产品可直接作为二维电极材料,广泛应用于电催化领域,具有优异的电解水产氢性能。
搜索关键词: 一种 基底 硫化 纳米 组装 结构 合成 方法
【主权项】:
1.一种钛片基底上二硫化钴纳米带组装结构的合成方法,其特征在于,该方法采用以下步骤:/n(1)钛基底上氢氧化钴纳米带的合成:称取钴盐和表面活性剂,溶于水和N,N-二甲基甲酰胺(DMF)的混合液,逐滴加入过氧化氢溶液,然后转入反应釜,投入干净裸钛片,封装,置于高温下反应,反应釜中控制反应温度为140~160℃,反应时间为1~20h,取出钛片,依次用乙醇和去离子水冲洗干净并烘干,得到原位生长于钛基底的Co(OH)3/Ti;/n(2)钛基底上四氧化三钴纳米带的制备:取步骤(1)制得的Co(OH)3/Ti置于管式炉中,在空气中高温退火,发生热失水分解反应,得到Co3O4/Ti;/n(3)钛基底上二硫化钴纳米带的制备:取步骤(2)制得的Co3O4/Ti置于管式炉中,于管式炉的进气端处放置过量的硫粉,在氩气气氛保护下,进行高温硫化反应,高温硫化反应温度为350~450℃,反应时间为2~6h,通入的氩气流速为20~60sccm,然后自然晾至室温,取出负载有二硫化钴纳米带的钛片,即CoS2/Ti,用二硫化碳和乙醇依次浸润清洗并烘干,制备得到钛片基底上二硫化钴纳米带组装结构。/n
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