[发明专利]一种提高FLASH参数保存次数的实现方法有效
| 申请号： | 201710146873.7 | 申请日： | 2017-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN106959823B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 李红刚;王旭昊;王海明;代兴华;刘德林;李朝锋;赵瑞杰 | 申请（专利权）人： | 许继集团有限公司;许昌许继风电科技有限公司;国家电网公司;国网新源张家口风光储示范电站有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F12/02 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 陈浩 |
| 地址： | 461000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种提高FLASH参数保存次数的实现方法，该方法根据参数长度大小，自动在FLASH保存区划分出若干虚拟分区，每次参数按顺序地保存在与最近一次保存虚拟分区相连的一个虚拟分区内，直到所有虚拟分区用完，一次性的擦除整个FLASH保存区，重新从第一个虚拟分区开始顺序地往虚拟分区中保存参数。本发明解决了现有FLASH芯片因并未完全存满，仍然进行擦写，使得擦写次数过多而导致FLASH芯片损坏的问题，本发明实现方法的参数保存次数等于虚拟分区的个数乘以FLASH可擦写次数，延长了FLASH芯片的使用寿命。同时，本方法在零虚拟分区建立索引，通过索引地址可以快速的查找到当前参数要保存的寄存器起始地址。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 flash 参数 保存 次数 实现 方法 | ||
【主权项】：
一种提高FLASH参数保存次数的实现方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在FLASH保存区划分出至少2个虚拟分区；(2)通过查看FLASH保存区起始地址的寄存器中的数值，判断虚拟分区是否已写过；若数值为0xFFFF，则虚拟分区未写过，否则已写过；(3)若虚拟分区未写过，则将数值为0xFFFF写进以FLASH保存区起始地址为地址的寄存器中；(4)若虚拟分区已写过，则判断虚拟分区是否已写完；若所有虚拟分区已写完毕，则一次性擦除整个FLASH保存区，并将数值为0xFFFF写进以FLASH保存区起始地址为地址的寄存器中；若虚拟分区未写完，则继续写入参数，并将参数按顺序地保存在与最近一次保存虚拟分区相连的一个虚拟分区内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于许继集团有限公司;许昌许继风电科技有限公司;国家电网公司;国网新源张家口风光储示范电站有限公司，未经许继集团有限公司;许昌许继风电科技有限公司;国家电网公司;国网新源张家口风光储示范电站有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710146873.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
