[发明专利]一种背照式宽动态范围CMOS图像传感器的制作方法

摘要

本发明涉及了CMOS图像传感器领域，尤其是涉及了一种背照式款动态范围图像传感器的制作方法。本发明通过在背面制作深槽隔离和P阱注入，减小了器件间像素单元的电光学串扰，增大了器件的满井容量，同时在背面进行离子注入减小背面照光后扩散电子引起的电学串扰。而CMOS像素单元结构采用5T有源像素结构作为单元结构，五管有源像素由于采用全并行曝光模式，像素势阱很快被填满，提高了图像传感器的动态范围。

主权项

1.一种背照式宽动态范围CMOS图像传感器的制作方法，所述背照式CMOS图像传感器采用5T有源像素结构和背面深槽、正面浅槽隔离技术，太高满井容量和减小像素间电、光学串扰。