[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710151188.3 | 申请日： | 2013-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN106887404B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 沈善一;赵源锡;李云京 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括交替并竖直地堆叠在基板上的多个第一绝缘层和多个第二层。所述多个第二层中的每个第二层包括通过第二绝缘层水平分离的水平电极。接触塞贯穿所述多个第一绝缘层和所述多个第二层中的第二绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，所述半导体装置包括：多个水平电极，竖直地堆叠在基板上；多个第一绝缘层，每个第一绝缘层设置在所述多个水平电极中的相应的一对水平电极之间；多个第二绝缘层，每个第二绝缘层设置在所述多个第一绝缘层中的相应的一对第一绝缘层之间并与所述多个水平电极中的相应的一个水平电极设置在同一竖直平面；接触结构，贯穿第一绝缘层和第二绝缘层，其中，接触结构与第一绝缘层和第二绝缘层接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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