[发明专利]半导体装置的形成方法及其栅极结构的制造方法有效
| 申请号： | 201710152290.5 | 申请日： | 2017-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN108074804B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 江欣哲;曾主元;梁春昇;王淑慧;潘国华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置的栅极结构的制造方法，其是包含沉积高介电常数介电层在基材上。形成虚拟金属层在高介电常数介电层上。虚拟金属层包含氟。进行高温制程，以驱动氟自虚拟金属层至高介电常数介电层，借以形成钝化高介电常数介电层。接着，移除虚拟金属层。形成至少一功函数层在钝化高介电常数介电层上。形成填充金属层在至少一功函数层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 及其 栅极 结构 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的栅极结构的制造方法，其特征在于，包含：沉积一高介电常数介电层在一基材上；形成一虚拟金属层在该高介电常数介电层上，其中该虚拟金属层包含氟；驱动氟自该虚拟金属层至该高介电常数介电层，以形成一钝化高介电常数介电层；在该驱动氟后，移除该虚拟金属层；形成至少一功函数层在该钝化高介电常数介电层上；以及形成一填充金属层在该至少一功函数层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
