[发明专利]一种抗还原铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 201710152676.6 | 申请日： | 2017-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN108623303A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 王晓慧;岑侦勇;李龙土 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B41/88;H02N2/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;王春霞 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗还原铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法。该压电陶瓷的化学式如下：(1‑x)K0.5Na0.5NbO3‑xBi0.5Na0.5ZrO3+y％M；其中，x、y表示本压电陶瓷体系中的摩尔分数，0.03≤x≤0.06，0≤y≤1；M表示二价锰化合物(如MnCO3、MnO或MnS)。本发明抗还原型铌酸钾钠基无铅压电陶瓷具有优良的压电性能及综合性能。通过选择适当的x、y值及工艺参数，可使该体系的压电常数d33达310pC/N以上，平面机电耦合系数kp可达0.52，高场应变可达0.18％，最大高场压电常数d33*达到440pm/V(E＝20kV/cm)，居里温度在340℃以上。 | ||
| 搜索关键词： | 铌酸钾钠基无铅压电陶瓷 压电常数 高场 制备 还原 二价锰化合物 机电耦合系数 压电陶瓷体系 摩尔分数 压电陶瓷 压电性能 综合性能 还原型 | ||
【主权项】：
1.一种抗还原铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，其特征在于：其化学式如下：(1‑x)K0.5Na0.5NbO3‑xBi0.5Na0.5ZrO3+y％M；其中，x、y表示压电陶瓷体系中的摩尔分数，0.03≤x≤0.06，0≤y≤1；M表示二价锰化合物。
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