[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201710152713.3 | 申请日： | 2017-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN107305837B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 尹灿植;李基硕;金桐吾;金容才 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/74 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了用于制造半导体器件的方法。所述方法包括：在基底中形成在第一方向上延伸的栅极线，在栅极线的侧表面上形成杂质区，在基底上形成绝缘膜图案，绝缘膜图案在第一方向上延伸并且包括被构造为暴露杂质区的第一通孔，在第一通孔上形成阻挡金属层，形成填充第一通孔并且电连接到杂质区的导电线接触件，在导电线接触件和绝缘膜图案上形成第一掩模图案，第一掩模图案在与第一方向不同的第二方向上延伸，第一掩模图案包括第一开口，通过利用第一掩模图案执行光刻工艺形成接合垫，通过部分地蚀刻阻挡金属层去除阻挡金属层的角部。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在基底中形成在第一方向上延伸的栅极线，在栅极线的侧表面上形成杂质区；在基底上形成绝缘膜图案，绝缘膜图案在第一方向上延伸并且包括被构造为暴露杂质区的第一通孔；在第一通孔上形成阻挡金属层；形成填充第一通孔并且电连接到杂质区的导电线接触件；在导电线接触件和绝缘膜图案上形成第一掩模图案，第一掩模图案在与第一方向不同的第二方向上延伸；通过使用第一掩模图案执行光刻工艺形成接合垫；以及通过部分地蚀刻阻挡金属层去除阻挡金属层的角部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
