[发明专利]低压超结MOSFET栅源氧化层结构及制造方法在审
| 申请号： | 201710153059.8 | 申请日： | 2017-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN106920752A | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 杨乐;刘挺;岳玲 | 申请（专利权）人： | 西安龙腾新能源科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710021 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及低压超结MOSFET栅源氧化层结构及制造方法，通过两次氮化硅工艺对栅极源极间氧化层厚度进行调整，避免栅源间根部氧化层不均匀，造成器件失效或参数异常。本发明通过深槽填充多晶硅，两个深槽互相电荷平衡完成超结功能，再在深槽上方采用湿法腐蚀的方式形成浅槽，在浅槽中制作低压超结MOSFET，共同构成低压超结器件，可以用传统的半导体制造工艺实现，在工艺难度不增加的情况下改善第一多晶硅与栅极多晶硅之间氧化层质量，优化产品的参数，提高成品率和可靠性，最终达到降低芯片成本。 | ||
| 搜索关键词： | 低压 mosfet 氧化 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
低压超结MOSFET栅源氧化层结构的制造方法，其特征在于：通过两次氮化硅工艺对栅极源极间氧化层厚度进行调整，避免栅源间根部氧化层不均匀，造成器件失效或参数异常。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
