[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710153099.2 | 申请日： | 2017-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN107192968B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 岸松雄;高浜未英;高桥宽;海老原美香;飞冈孝明 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/07 | 分类号： | G01R33/07;H01L43/12;H01L43/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶培勇;付曼 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置及其制造方法，其特征在于，所述半导体装置具有：设有多个霍尔元件的半导体衬底；以及设在所述半导体衬底上的具有磁会聚功能的磁性体，在所述半导体衬底上的所述磁性体的纵截面外形形状中，包括在该外周部的至少一部分具有曲线形状的部分、和与所述半导体衬底大致平行的部分，在所述磁性体内部埋入有由非磁性物质构成的构造体的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具有：设有多个霍尔元件的半导体衬底；以及设在所述半导体衬底上的具有磁会聚功能的磁性体，其特征在于，在所述半导体衬底上的规定所述磁性体的纵截面外形形状的外周部中，包括：在所述外周部的至少一部分具有曲线形状的部分；和与所述半导体衬底大致平行的部分，在所述磁性体内部埋入有由非磁性物质构成的构造体的至少一部分。
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