[发明专利]一种衬底上直接生长氧化锌纳米柱阵列的方法

摘要

一种衬底上直接生长氧化锌纳米柱阵列的方法，涉及氧化锌纳米柱阵列的生长方法。提供制备氧化锌的工艺更加简易和广泛化的一种衬底上直接生长氧化锌纳米柱阵列的方法。通过CVD在衬底表面生长单原子层氮化硼薄膜；采用PMMA辅助法，将氮化硼薄膜转移覆盖于目标衬底表面；去除PMMA保护膜；将覆盖氮化硼薄膜的金属衬底置入反应腔，利用氧化锌纳米柱生长方法，直接生长整齐纳米柱阵列。不仅克服现有氧化锌纳米柱阵列生长过程中衬底选择的局限性，而且成功生长出品质优良的氧化锌纳米柱阵列，使氧化锌纳米柱阵列的制备和应用更趋于简易化和广泛化，可在柔性衬底上直接生长，更有利于在微电子器件上的应用。

主权项

1.一种衬底上直接生长氧化锌纳米柱阵列的方法，其特征在于包括以下步骤：1)通过CVD在衬底表面生长单原子层氮化硼薄膜；2)采用PMMA辅助法，将氮化硼薄膜转移覆盖于目标衬底表面；所述采用PMMA辅助法，将氮化硼薄膜转移覆盖于目标衬底表面的具体方法为：在六方氮化硼的衬底表面，旋涂上一层PMMA薄膜保护氮化硼薄膜，然后再利用过硫酸铵溶解掉衬底,接着利用转移工具将PMMA/六方氮化硼薄膜转移覆盖到目标衬底上；3)去除PMMA保护膜：将步骤2)得到的产物放入丙酮溶液浸泡,去除掉样品表面的PMMA；所述浸泡的步骤为：用丙酮溶液浸泡10min，更换丙酮溶液，重复浸泡更换3次后，每24h更换一次丙酮溶液，48h后完全去除PMMA；4)将覆盖氮化硼薄膜的金属衬底置入反应腔，利用氧化锌纳米柱生长方法，直接生长整齐纳米柱阵列：首先给CVD腔中通入氮气，对衬底表面进行退火处理，然后加热锌粉，再通入氮气和氧气混合气作为载气，将锌粉带到衬底表面，氧气和锌蒸气在衬底表面生成氧化锌纳米棒阵列，冷却并持续通入氮气，即完成衬底上直接生长氧化锌纳米柱阵列的目的。