[发明专利]一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。外延片包括蓝宝石衬底、氮化镓缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、P型铝镓氮层和P型氮化镓层，N型氮化镓层包括N型氮化镓层本体和多个凸起，N型氮化镓层本体为柱体结构，N型氮化镓层本体的底面设置在未掺杂氮化镓层上，多个凸起以阵列方式布置在N型氮化镓层本体的顶面上；多量子阱层包括多量子阱层本体和填充部分，填充部分设置在多个凸起之间露出的N型氮化镓层本体上并将多个凸起之间的空间填满，填充部分和多个凸起组成柱体结构，多量子阱层本体为柱体结构，多量子阱层本体设置在填充部分和多个凸起组成的柱体结构上。本发明发光效率高。

主权项

1.一种氮化镓基发光二极管的外延片，所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的氮化镓缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、P型铝镓氮层、P型氮化镓层，其特征在于，所述N型氮化镓层包括N型氮化镓层本体和多个凸起，所述N型氮化镓层本体为柱体结构，所述N型氮化镓层本体的底面设置在所述未掺杂氮化镓层上，所述多个凸起以阵列方式布置在所述N型氮化镓层本体的顶面上；所述多量子阱层包括多量子阱层本体和填充部分，所述填充部分设置在所述多个凸起之间露出的所述N型氮化镓层本体上并将所述多个凸起之间的空间填满，所述填充部分和所述多个凸起组成柱体结构，所述多量子阱层本体为柱体结构，所述多量子阱层本体设置在所述填充部分和所述多个凸起组成的柱体结构上。