[发明专利]一种伽马探测系统中硅光电倍增管工作电压设置方法在审

专利信息
申请号: 201710155974.0 申请日: 2017-03-16
公开(公告)号: CN106896400A 公开(公告)日: 2017-06-27
发明(设计)人: 黄立华;荀爱兵;李顺;郭凯;黄惠杰;沈百飞 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: G01T7/00 分类号: G01T7/00
代理公司: 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31317 代理人: 张宁展
地址: 201800 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种伽马探测系统中硅光电倍增管工作电压设置方法,包括将伽马探测系统置于恒温恒湿的环境;选择伽马辐射源;给硅光电倍增管加上工作电压V;将所选择的伽马辐射源置于伽马探测系统前方距离L处,用伽马探测系统的多道采集系统对硅光电倍增管的输出采集m次;计算工作电压为V时信噪比Yk;查找信噪比数组Y中的最大元素Ymax,所对应的Vmax就是伽马探测系统中硅光电倍增管的最佳工作电压。本发明能够从厂商提供的击穿电压和过压范围中找出最佳的工作电压,为伽马探测系统提供最佳的探测能力。
搜索关键词: 一种 探测 系统 光电倍增管 工作 电压 设置 方法
【主权项】:
一种伽马探测系统中硅光电倍增管工作电压设置方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:1)将伽马探测系统置于恒温恒湿的环境下12~24小时;2)选择一个伽马辐射源,该伽马辐射源具有确定的能谱,同时其能谱中只有一个全能峰;3)定义工作电压数组V[V0,V1,V2……Vk……Vn‑1,Vn],信噪比数组Y[Y0,Y1,Y2……Yk……Yn‑1,Yn],根据给定的过压范围(VTov‑,VTov+),计算工作电压V,公式如下:Vk=Vbr+k×(VTov+)-(VTov-)n+VTov-,]]>其中,Vbr是击穿电压;n是细分过压的份数,根据实际需求选取;k表示当前实验序数;4)设k=0,工作电压V=V0;5)给硅光电倍增管加上工作电压V,V=Vk,用伽马探测系统的多道采集系统对硅光电倍增管的输出采集m次,每次连续T分钟,共获得m个暗计数值,对这m个暗计数值取平均,得到工作电压为V时的伽马探测系统的暗计数值Nk*;6)将所选择的伽马辐射源置于伽马探测系统前方距离L处,用伽马探测系统的多道采集系统对硅光电倍增管的输出采集m次,每次连续T分钟,共获得m个高能粒子信号计数值,对这m个高能粒子信号计数值取平均,获得工作电压为V时的伽马探测系统的高能粒子信号计数Nk;7)计算工作电压为V时信噪比Yk,公式如下:Yk=Nk*/(Nk‑Nk*);8)当k<n时,令k=k+1,返回步骤5);当k=n时,进入步骤9);9)查找信噪比数组Y中的最大元素Ymax,所对应的Vmax就是伽马探测系统中硅光电倍增管的最佳工作电压。
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