[发明专利]晶圆键合方法以及晶圆键合结构有效
| 申请号： | 201710156402.4 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN108630559B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 程晋广;施林波;陈福成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L25/065;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆键合方法以及晶圆键合结构，所述晶圆键合方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆具有第一晶圆面；在部分所述第一晶圆面上形成第一金属层；在所述第一晶圆面上形成第一环形挡墙结构，所述第一环形挡墙结构包括相互分立的第一环形挡墙和第二环形挡墙；提供第二晶圆，所述第二晶圆具有第二晶圆面；在部分所述第二晶圆面上形成第二金属层；在所述第二晶圆面上形成第二环形挡墙结构，所述第二环形挡墙结构包括相互分立的第三环形挡墙和第四环形挡墙；将所述第一金属层与所述第二金属层相互键合。本发明形成的晶圆键合结构的晶圆键合效果得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆键合 方法 以及 结构 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆具有第一晶圆面；在部分所述第一晶圆面上形成第一金属层；在所述第一晶圆面上形成第一环形挡墙结构，所述第一环形挡墙结构包括相互分立的第一环形挡墙和第二环形挡墙，其中，所述第二环形挡墙位于所述第一环形挡墙包围的第一晶圆面上，且所述第一金属层位于所述第一环形挡墙与所述第二环形挡墙之间的第一晶圆面上；提供第二晶圆，所述第二晶圆具有第二晶圆面；在部分所述第二晶圆面上形成第二金属层；在所述第二晶圆面上形成第二环形挡墙结构，所述第二环形挡墙结构包括相互分立的第三环形挡墙和第四环形挡墙，其中，所述第四环形挡墙位于所述第三环形挡墙包围的第二晶圆面上，且所述第二金属层位于所述第三环形挡墙与所述第四环形挡墙之间的第二晶圆面上；将所述第一金属层与所述第二金属层相互键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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