[发明专利]一种锗硅沟道鳍式场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201710156420.2 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN106952959B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 安霞;张冰馨;胡向阳;黎明;黄如;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种锗硅沟道鳍式场效应晶体管及其制备方法。该锗硅沟道鳍式场效应晶体管通过热氧化形成体在绝缘层上(BOI)结构，切断了源漏间的泄漏电流通道，能够有效抑制器件的泄漏电流，并且比SGOI FinFET具有更小的埋氧层面积，可以改善散热效果。另外，在氧化过程中利用锗聚集技术有利于提高沟道中锗组分，提高载流子迁移率，从而提高开态电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管，包括半导体衬底，在半导体衬底上具有凸起的Fin条，在Fin条侧壁和顶部表面具有横跨Fin条的栅极结构，与栅极结构接触的Fin条部分构成沟道区，其特征在于，沟道区为锗硅材料，沟道长度小于Fin条长度；源、漏位于沟道区两端；Fin条两端的半导体与衬底相连；Fin条与半导体衬底之间有一层局域埋氧层，形成BOI结构，该局域埋氧层的宽度不大于Fin条宽度。
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