[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 201710156871.6 | 申请日: | 2017-03-16 |
公开(公告)号: | CN107204286B | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 小清水秀辉;荒谷侑里香;杉谷哲一;灰本隆志 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/82 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供晶片的加工方法,对于采用先划片方式的情况下的半导体器件芯片的背面,不使生产性恶化而对各个器件芯片敷设固晶用树脂。该晶片在正面上由分割预定线划分而形成有多个器件芯片,该晶片的加工方法包含如下的工序:分离槽形成工序,沿着分割预定线形成深度相当于器件芯片的完工厚度的分离槽;分割工序,将保护部件配设在晶片的正面上,对晶片进行薄化而使分离槽在晶片的背面露出,将晶片分割成各个器件芯片;固晶用树脂敷设工序,向该晶片的背面涂布液状的固晶用树脂并使其固化,从而按照希望的厚度将固晶用树脂敷设在各个器件芯片的背面上;以及分离工序,将背面上敷设有该固晶用树脂的该器件芯片从晶片分离。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片的加工方法,该晶片在正面上由交叉的多条分割预定线划分而形成有多个器件,其中,该晶片的加工方法包含如下的工序:分离槽形成工序,沿着分割预定线形成深度相当于器件芯片的完工厚度的分离槽;分割工序,在实施了该分离槽形成工序之后,将保护部件配设在晶片的正面上,对晶片进行薄化而使该分离槽在晶片的背面露出,将晶片分割成各个器件芯片;固晶用树脂敷设工序,在实施了该分割工序之后,向该晶片的背面涂布液状的固晶用树脂并使其固化,从而按照希望的厚度将固晶用树脂敷设在各个器件芯片的背面上;以及分离工序,将背面上敷设有该固晶用树脂的该器件芯片从晶片分离,该固晶用树脂敷设工序包含如下的工序:薄膜层形成工序,使液状的该固晶用树脂成为雾状而涂布在晶片的背面上从而形成薄膜层;以及外界刺激施加工序,通过对该薄膜层施加外界刺激而使该薄膜层固化,将该薄膜层形成工序和外界刺激施加工序交替并且反复进行至少两次以上而使该固晶用树脂形成为希望的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造