[发明专利]一种平面整流二极管芯片的制造方法

摘要

本发明涉及一种平面整流二极管芯片的制造方法，芯片包括N型单晶硅，在所述N型单晶硅的背面形成N+重掺杂衬底阴极区，在所述N型单晶硅的正面一侧形成P+阳极区，另一侧形成N+截止环区，在所述N型单晶硅的正面淀积一层SIPOS钝化层，所述SIPOS钝化层的底部两侧搭接于P+阳极区和N+截止环区上，在所述SIPOS钝化层的正面依次向上淀积相同面积的二氧化硅介质层、磷硅玻璃介质层和二氧化硅介质层，在所述P+阳极区和N+截止环区的正面露出部分、高反压终端保护膜的两侧及正面两侧区域包覆有金属电极层，在所述高反压终端保护膜和金属电极层的正面涂覆有聚酰亚胺钝化层。

主权项

一种平面整流二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述芯片包括N型单晶硅（2），在N型单晶硅（2）的背面通过高浓度磷掺杂扩散的方式形成N+重掺杂衬底阴极区（1），在N型单晶硅（2）的正面一侧通过高浓度硼掺杂扩散的方式形成P+阳极区（3），另一侧通过高浓度磷掺杂扩散的方式形成N+截止环区（4），在N型单晶硅（2）的正面淀积一层SIPOS钝化层（5），所述SIPOS钝化层（5）的底部两侧搭接于P+阳极区（3）和N+截止环区（4）上，在SIPOS钝化层（5）的正面依次向上淀积相同面积的第一二氧化硅介质层（6）、磷硅玻璃介质层（7）和第二二氧化硅介质层（8），所述SIPOS钝化层（5）、第一二氧化硅介质层（6）、磷硅玻璃介质层（7）和第二二氧化硅介质层（8）构成高反压终端保护膜，在所述P+阳极区（3）和N+截止环区（4）的正面露出部分、高反压终端保护膜的两侧及正面两侧区域包覆有金属电极层（9），在所述高反压终端保护膜和金属电极层（9）的正面涂覆有聚酰亚胺钝化层（10），所述方法包括以下步骤：步骤一：在N型单晶硅一侧进行高浓度磷掺杂扩散，形成平面整流二极管芯片的N+重掺杂衬底阴极区；步骤二：在N型单晶硅另一侧进行高浓度硼和高浓度磷的掺杂扩散，形成平面整流二极管芯片的P+阳极区和N+截止环区；步骤三：将前面硅表面生长的二氧化硅层通过酸处理的方式全部泡除，并采用低压化学气相淀积在硅表面淀积一层SIPOS钝化层；步骤四：通过常压化学气相淀积在SIPOS钝化层上面淀积一层二氧化硅介质层、一层磷硅玻璃介质层、一层二氧化硅介质层；步骤五：通过刻蚀的方法将平面整流二极管芯片P+阳极区的金属电极引线孔刻出，通过金属淀积及金属刻蚀的方法刻蚀出金属电极层，最后形成平面整流二极管芯片的阳极；步骤六：在平面整流二极管芯片的最外层涂覆一层聚酰亚胺光刻胶，通过光刻、显影以及高温固化工艺，最后形成聚酰亚胺钝化层。