[发明专利]印刷光伏模块的制造方法和相关光伏模块在审
申请号: | 201710157977.8 | 申请日: | 2017-03-16 |
公开(公告)号: | CN107452685A | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 耶肋米亚·K·姆瓦乌拉 | 申请(专利权)人: | 阿尔莫 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/30 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人: | 徐川,姚开丽 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种光伏模块的制造方法和相关光伏模块。光伏模块包括电连接的至少两个多层结构的光伏电池。该方法包括在衬底上设置间隔开的、沿网络横跨方向延伸的多个第一电极带;在第一电极带层上设置沿网络顺延方向延伸的绝缘材料制成的至少一个绝缘带,各绝缘带限定连接区域和活性区域。包括光敏半导体材料制成的全网涂层的功能叠层形成在第一层上且在活性区域内。在活性区域内设置间隔开的多个第二电极带,各第二电极带沿网络横跨方向延伸以形成光伏电池,并通过如下方式将相邻的至少两个光伏电池电连接来形成光伏模块电连接图案在绝缘带上延伸,以在一个或多个连接区域内将一光伏电池的第二电极带电连接至相邻光伏电池的第一电极带。 | ||
搜索关键词: | 印刷 模块 制造 方法 相关 | ||
【主权项】:
一种光伏模块的制造方法,所述光伏模块包括电连接的至少两个光伏电池,每个光伏电池为沉积在具有网络顺延方向(X)和网络横跨方向(Y)的衬底上的多层结构,其特征在于,所述方法包括以下步骤:‑a)在所述衬底(6)上设置(100)间隔开的第一导电材料制成的多个第一电极带(8i、8i+1、12i、12i+1),每个第一电极带沿所述网络横跨方向(Y)延伸以形成第一导电材料层(10),‑b)在所述第一导电材料层(10)上沿所述网络顺延方向(X)设置(110)绝缘材料制成的至少一个绝缘带(14a、14b),每个绝缘带(14a、14b)限定连接区域(16a、16b)和活性区域(18),‑c)在所述第一导电材料层(10)上、所述活性区域(18)内设置(120)功能叠层(20),所述功能叠层包括光敏半导体材料制成的全网涂层,‑d)在所述功能叠层(20)上、所述活性区域(18)内设置(130a、130b、130)间隔开的第二导电材料制成的多个第二电极带(28i、28i+1),每个第二电极带(28i、28i+1)沿所述网络横跨方向(Y)延伸,每个第二电极带(28i)按照预定对准图案与相应的第一电极带(8i)对准以形成光伏电池(4i),并且通过如下方式将至少两个相邻的光伏电池(4i、4i+1)电连接:设置电连接图案(32i)在所述绝缘带(14a、14b)上延伸,以在一个或多个连接区域(16a、16b)内将一光伏电池(4i+1)的第二电极带(28i+1)电连接至相邻的光伏电池(4i)的第一电极带(8i)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿尔莫,未经阿尔莫许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710157977.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造