[发明专利]半导体装置及其制造方法在审

申请号：	201710158434.8	申请日：	2017-03-17
公开（公告）号：	CN108630541A	公开（公告）日：	2018-10-09
发明（设计）人：	杨佳琦;赵杰	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038	代理人：	曲瑞
地址：	201203 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括半导体衬底和半导体衬底上的层间电介质层，所述层间电介质层包括延伸到所述半导体衬底的多个沟槽，所述多个沟槽包括用于PMOS器件的第一沟槽和用于NMOS器件的第二沟槽，其中，在所述多个沟槽的底部的半导体衬底的表面和侧壁上具有高k电介质层；在所述多个沟槽中形成半导体层以填充所述多个沟槽；去除所述第一沟槽中的半导体层；在所述第一沟槽中依次形成PMOS功函数调节层和金属电极层；去除所述第二沟槽中的半导体层；以及在所述第二沟槽中依次形成NMOS功函数调节层和金属电极层。本发明能够提高高k电介质层的可靠性。
搜索关键词：	衬底半导体半导体层层间电介质层功函数调节层高k电介质层半导体装置金属电极层衬底结构去除半导体技术领域侧壁填充制造延伸
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【主权项】：

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：(a)提供衬底结构，所述衬底结构包括半导体衬底和半导体衬底上的层间电介质层，所述层间电介质层包括延伸到所述半导体衬底的多个沟槽，所述多个沟槽包括用于PMOS器件的第一沟槽和用于NMOS器件的第二沟槽，其中，在所述多个沟槽的底部的半导体衬底的表面和侧壁上具有高k电介质层；(b)在所述多个沟槽中形成半导体层以填充所述多个沟槽；(c)去除所述第一沟槽中的半导体层；(d)在步骤(c)之后，在所述第一沟槽中依次形成PMOS功函数调节层和金属电极层；(e)在步骤(d)之后，去除所述第二沟槽中的半导体层；以及(f)在步骤(e)之后，在所述第二沟槽中依次形成NMOS功函数调节层和金属电极层。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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