[发明专利]一种具有宽带隙衬底材料的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管有效
| 申请号： | 201710158895.5 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN107093623B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;吕建梅;曹震;袁嵩;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336;H01L23/373 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种具有宽带隙衬底材料的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)，该VDMOS器件主要特点是将宽带隙材料与硅材料相结合，在宽带隙N+型衬底材料上表面形成掺杂浓度较小的N型宽带隙外延层，再以该N型宽带隙外延层为基础异质外延生长(或利用键合技术形成)N型硅外延层，采用硅成熟工艺在硅外延层形成器件有源区。利用宽带隙材料中产生的纵向电场对硅外延层中产生的纵向电场的调制作用，使器件的击穿电压提高，同时宽带隙材料的高热导率特性有利于器件的散热，器件性能有效改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 宽带 衬底 材料 垂直 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 | ||
【主权项】：
一种具有宽带隙衬底材料的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，包括：宽带隙半导体材料的N+型衬底(801)；在N+型衬底(801)上表面形成的宽带隙半导体材料的N型外延层，记为N型宽带隙外延层(802)；在所述N型宽带隙外延层(802)上表面异质外延生长或利用键合技术形成的N型硅外延层；分别在所述N型硅外延层上部的左、右两端区域形成的两处P型基区(7)；每一处P型基区(7)中形成沟道以及N+型源区(6)和P+沟道衬底接触(5)，其中N+型源区(6)与沟道邻接，P+沟道衬底接触(5)相对于N+型源区(6)位于沟道远端；栅氧化层(2)，覆盖所述N型硅外延层位于两处P型基区(7)之间的部分以及相应的两处沟道；栅极(3)，位于栅氧化层上表面；源极(1、4)，覆盖P+沟道衬底接触(5)与N+型源区(6)相接区域的上表面；两处源极(1、4)共接；漏极(9)，位于所述N+型衬底(801)下表面；所述N型宽带隙外延层(802)的厚度和掺杂浓度由器件的耐压要求决定，N型宽带隙外延层(802)的掺杂浓度低于N+型衬底(801)的掺杂浓度。
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