[发明专利]一种电平移位电路有效
申请号: | 201710159285.7 | 申请日: | 2017-03-17 |
公开(公告)号: | CN106992778B | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 方健;陈智昕;张波;方舟 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 发明属于集成电路技术领域,涉及MOS栅极驱动电路,具体涉及一种电平位移电路。本发明的技术方案,相对于常见的电平位移电路,本发明的方案中采用了以第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第六PMOS管MP6和第四NMOS管MN4构成电平位移电路,结合辅助模块电路,一方面可以使得功耗减小,另一方面可以加快转换速度,降低转换延时。 | ||
搜索关键词: | 一种 电平 位移 电路 | ||
【主权项】:
1.一种电平位移电路,包括核心电路模块和辅助电路模块;其特征在于,所述核心电路模块由第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第六PMOS管MP6、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4构成;其中,第一PMOS管MP1的源极接电源;第二PMOS管MP2的源极接电源,其栅极与漏极互连;第三PMOS管MP3的源极接电源,其栅极接第二PMOS管MP2的漏极;第一NMOS管MN1的漏极接第一PMOS管MP1的漏极,第一NMOS管MN1的栅极接外部低压输出信号,第一NMOS管MN1的源极接地;第二NMOS管MN2的漏极接第二PMOS管MP2的漏极,其栅极接外部低压输出信号;第三NMOS管MN3的漏极接第二NMOS管MN2的源极,第三NMOS管MN3的栅极接第一PMOS管MP1的漏极,第三NMOS管MN3的源极接地;第六PMOS管MP6的源极接第三PMOS管MP3的漏极,第四NMOS管MN4的漏极接第六PMOS管MP6的漏极,第四NMOS管MN4的源极接地;所述的辅助电路模块由第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第七PMOS管MP7、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7构成;其中,第四PMOS管MP4的源极接电源,其栅极接第五PMOS管MP5的漏极;第五PMOS管MP5的源极接电源,其栅极与漏极互连;第七PMOS管MP7的源极接第四PMOS管MP4的漏极,第七PMOS管MP7的栅极接外部低压输出信号;第五NMOS管MN5的漏极接第七PMOS管MP7的漏极,第五NMOS管MN5的栅极接外部低压输出信号;第六PMOS管MP6的栅极和第四NMOS管MN4的栅极接第七PMOS管MP7的漏极;第六NMOS管MN6的漏极接第五PMOS管MP5的漏极,第六NMOS管MN6的栅极接外部低压输出信号的反信号;第七NMOS管MN7的漏极接第六NMOS管MN6的源极,第七NMOS管MN7的源极接地;第一PMOS管MP1栅极、第六PMOS管MP6漏极、第四NMOS管MN4漏极、第七NMOS管MN7栅极的连接点为电平移位电路输出端。
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