[发明专利]一种可调延时电路在审

专利信息
申请号: 201710159306.5 申请日: 2017-03-17
公开(公告)号: CN106849922A 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 方健;王科竣;冯磊;陈智昕;刘振国;张波;杨健 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H03K17/28 分类号: H03K17/28
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于集成电路技术领域,涉及一种可调延时电路。本发明的技术方案,相对于传统延时电路可以通过调延时控制信号来控制延时时间,而且增加了第一NMOS管MN1和第三PMOS管MP3组成的Vsel选择端口,该选择端口可以选择两种不同的延时模式,因此该电路很适合需要两种延时方案切换的电路。当Vsel端口施加高电平时,电路用下降沿延时;当Vsel端口施加低电平时,电路用上升沿延时。本发明的有益效果为,相对于传统延时电路,极大地提高了电路的灵活性;而且使得电路的延时功能更加精确。
搜索关键词: 一种 可调 延时 电路
【主权项】:
一种可调延时电路,包括信号产生模块、RC延时模块和比较器;所述信号产生模块用于产生方波信号;其特征在于,所述RC延时模块由第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3构成;其中,第一PMOS管MP1的源级接电源VDD,其栅极接信号产生模块输出的第一信号Vin1;第二PMOS管MP2的源级接电源VDD,其栅级接第二延时控制信号Vcont2;第一NMOS管MN1的漏极接第一PMOS管MP1的漏极,第一NMOS管MN1的栅极接延时控制信号Vsel;第三PMOS管MP3的源极接第二PMOS管MP2的漏极,第三PMOS管MP3的栅极接延时控制信号Vsel;第二NMOS管MN2的漏极接第一NMOS管MN1的源极,第二NMOS管MN2的栅极接第一延时控制信号Vcont1,第二NMOS管MN2的源极接地VSS;第三NMOS管MN3的源极接第三PMOS管MP3的漏极,第三NMOS管MN3的栅极接信号产生模块输出的第二信号Vin2;第一PMOS管MP1漏极、第一NMOS管MN1漏极和第三PMOS管MP3漏极的连接点为RC延时模块的输出端;RC延时模块的输出端接比较器的一个输入端;比较器的另一个输入端接固定电压信号,比较器用于将输入端的两路信号进行比较从而产生延时的方波。
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