[发明专利]一种瓶颈式反应管及高通量二维单晶炉装置有效
| 申请号： | 201710159585.5 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN106948001B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 简贤;张万里;张文旭;尹良君;唐辉;饶高峰;李言荣 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/64 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于单晶和薄膜材料制备技术领域，提供一种瓶颈式反应管、以及与该瓶颈式反应管配套使用的高通量二维单晶炉装置，用以克服现有单晶炉的操作繁复、生产单晶品质低、生产效率低等缺点。本发明瓶颈式反应管呈圆筒状，其底部封闭，顶部采用封管密封，其侧面沿垂直放置设置有若干个“瓶颈”形颈部；同时，与其配套使用的高通量二维单晶炉装置，包括炉体、刚玉石英管、瓶颈式反应管、温控系统及环形加热圈，环形加热圈嵌套设置于刚玉石英管内部、与瓶颈式反应管中安装的基片呈一一对应关系、且处于同一水平位置。本发明能够实现高纯度、高品质二维单晶的高通量制备，且操作简单、成本低，大大提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 瓶颈 反应 通量 二维 单晶炉 装置 | ||
【主权项】：
1.一种瓶颈式反应管，其特征在于，所述瓶颈式反应管呈圆筒状，其底部封闭，顶部采用封管密封，其侧面沿垂直放置设置有若干个“瓶颈”形颈部；所述瓶颈式反应管为真空封管中，原料置于底部，基片水平安装于颈部。
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