[发明专利]一种基于非对称定向耦合器的硅基TE模检偏器有效
| 申请号： | 201710159616.7 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN106873077B | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 肖金标;倪斌 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G02B6/126 | 分类号： | G02B6/126 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210096 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于非对称定向耦合器的硅基TE模检偏器，该检偏器由下至上依次为硅基衬底(8)、掩埋氧化层(9)、检偏部件(14)和上包层(10)，其中掩埋氧化层(9)生长于硅基衬底(8)的上表面，上包层(10)覆盖掩埋氧化层(9)的上表面，检偏部件(14)水平生长于掩埋氧化层(9)的上表面，并被上包层(10)覆盖；所述检偏部件(14)包括输入通道(1)、右路直通通道(2)、输出通道(3)、左路直通通道(5)、左路弯曲通道(6)和左路水平通道(7)。该检偏器有效降低了检偏器的插入损耗，提高了器件消光比，缩短了器件的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 对称 定向耦合器 te 模检偏器 | ||
【主权项】：
1.一种基于非对称定向耦合器的硅基TE模检偏器，其特征在于：该检偏器由下至上依次为硅基衬底(8)、掩埋氧化层(9)、检偏部件(14)和上包层(10)，其中掩埋氧化层(9)生长于硅基衬底(8)的上表面，上包层(10)覆盖掩埋氧化层(9)的上表面，检偏部件(14)水平生长于掩埋氧化层(9)的上表面，并被上包层(10)覆盖；所述检偏部件(14)包括输入通道(1)、右路直通通道(2)、输出通道(3)、左路直通通道(5)、左路弯曲通道(6)和左路水平通道(7)；右路直通通道(2)的一端和输入通道(1)相连、另一端和输出通道(3)相连接；左路弯曲通道(6)的一端和左路直通通道(5)相连、另一端和左路水平通道(7)相连接；其中，输出通道(3)、左路弯曲通道(6)位于同一端；输入通道(1)、右路直通通道(2)和输出通道(3)均为硅基水平槽式波导，左路直通通道(5)、左路弯曲通道(6)和左路水平通道(7)均为混合等离子波导；左路直通通道(5)和右路直通通道(2)平行且对齐摆放，两通道之间的距离为0.2～0.5μm，构成非对称定向耦合器结构(4)；硅基水平槽式波导与混合等离子波导两者的尺寸满足以下条件：1)硅基水平槽式波导与混合等离子波导的TE模有效折射率实部相差大于0.2，相位失配；2)硅基水平槽式波导与混合等离子波导的TM模有效折射率实部相等，相位匹配。
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