[发明专利]导电连接结构有效

专利信息
申请号: 201710159756.4 申请日: 2017-03-17
公开(公告)号: CN108336060B 公开(公告)日: 2020-03-06
发明(设计)人: 林柏均 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: H01L23/528 分类号: H01L23/528;H01L23/532
代理公司: 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 代理人: 王正茂;丛芳
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种导电连接结构,包括半导体基板、导电柱及应力缓冲层。导电柱位于半导体基板中。应力缓冲层位于半导体基板与导电柱之间。导电柱具有突出部贯穿应力缓冲层。此应力缓冲层可以减缓导电连接结构内部的应力。此外,导电连接结构可进一步包含位于突出部上且未与应力缓冲层接触的导线,当导电连接结构内产生应力时,若导电柱发生变形,导线不会被应力缓冲层拉扯而可避免导线发生金属疲劳,而促使本发明的导电连接结构有良好性能。
搜索关键词: 导电 连接 结构
【主权项】:
1.一种导电连接结构,其特征在于,包括:半导体基板;导电柱,位于所述半导体基板中;以及应力缓冲层,位于所述半导体基板与所述导电柱之间,其中所述导电柱具有突出部贯穿所述应力缓冲层。
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