[发明专利]干法蚀刻机台制程腔及其快速抽底压漏率的方法有效
| 申请号： | 201710159759.8 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN106971963B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 张杨 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/3065;C30B33/12 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种干法蚀刻机台制程腔及其快速抽底压漏率的方法，所述制程腔包括一腔体、一气体箱、工作台及抽气装置，所述工作台置于所述腔体内，所述气体箱通过一气体管路与所述腔体连通，向所述腔体内通入气体，所述抽气装置与所述腔体连通，在所述腔体内设置有多个零部件，所述抽气装置通过抽气管路将所述气体箱通过气体管路注入腔体内的气体抽出。本发明的优点在于，在抽气的过程中，在腔体内通入一定流量的气体，并维持腔体内一定压力的方法，将零部件内的水气置换出来，可将抽气时间由12h缩短到8h左右，大大加快复机速度，大大提高产能。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 机台 制程腔 及其 快速 抽底压漏率 方法 | ||
【主权项】：
1.一种干法蚀刻机台制程腔快速抽底压漏率的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：/n复机时，抽气装置通过抽气管路对制程腔抽气，同时气体箱通过气体管路向制程腔内通入氧气，所述氧气的体积流量为3000～5000sccm，并维持腔体内的真空度为10～30mT，抽气若干时间；/n停止通入氧气，采用抽气装置抽气若干时间；/n停止抽气，测量底压漏率。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
