[发明专利]化合物太阳能电池以及光吸收层的制作方法在审
申请号: | 201710161133.0 | 申请日: | 2017-03-17 |
公开(公告)号: | CN108269867A | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 郑隆藤;王雨筠;谢东坡 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种化合物太阳能电池,其包括第一电极、第二电极、第一型掺杂半导体层以及第二型掺杂半导体层。第一型掺杂半导体层配置于第一电极以及第二电极之间,且第二型掺杂半导体层配置于第一型掺杂半导体层以及第二电极之间。第一型掺杂半导体层具有靠近第一电极的第一侧以及靠近第二型掺杂半导体层的第二侧。第一型掺杂半导体层包括多个元素的至少其中之一,且这些元素包括钾、铷以及铯。这些元素的至少其中之一在第一侧的浓度高于在第二侧的浓度。另外,一种光吸收层的制作方法亦被提出。 | ||
搜索关键词: | 掺杂半导体层 第二电极 第一电极 化合物太阳能电池 光吸收层 配置 制作 | ||
【主权项】:
1.一种化合物太阳能电池,其特征在于,包括:第一电极;第二电极;第一型掺杂半导体层,配置于所述第一电极以及所述第二电极之间,以及第二型掺杂半导体层,配置于所述第一型掺杂半导体层以及所述第二电极之间,其中所述第一型掺杂半导体层具有靠近所述第一电极的第一侧以及靠近所述第二型掺杂半导体层的第二侧,所述第一型掺杂半导体层包括多个元素的至少其中之一,且所述多个元素包括钾、铷以及铯,其中所述多个元素的至少其中之一在所述第一侧的浓度高于在所述第二侧的浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的