[发明专利]化合物太阳能电池以及光吸收层的制作方法在审

专利信息
申请号: 201710161133.0 申请日: 2017-03-17
公开(公告)号: CN108269867A 公开(公告)日: 2018-07-10
发明(设计)人: 郑隆藤;王雨筠;谢东坡 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032;H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种化合物太阳能电池,其包括第一电极、第二电极、第一型掺杂半导体层以及第二型掺杂半导体层。第一型掺杂半导体层配置于第一电极以及第二电极之间,且第二型掺杂半导体层配置于第一型掺杂半导体层以及第二电极之间。第一型掺杂半导体层具有靠近第一电极的第一侧以及靠近第二型掺杂半导体层的第二侧。第一型掺杂半导体层包括多个元素的至少其中之一,且这些元素包括钾、铷以及铯。这些元素的至少其中之一在第一侧的浓度高于在第二侧的浓度。另外,一种光吸收层的制作方法亦被提出。
搜索关键词: 掺杂半导体层 第二电极 第一电极 化合物太阳能电池 光吸收层 配置 制作
【主权项】:
1.一种化合物太阳能电池,其特征在于,包括:第一电极;第二电极;第一型掺杂半导体层,配置于所述第一电极以及所述第二电极之间,以及第二型掺杂半导体层,配置于所述第一型掺杂半导体层以及所述第二电极之间,其中所述第一型掺杂半导体层具有靠近所述第一电极的第一侧以及靠近所述第二型掺杂半导体层的第二侧,所述第一型掺杂半导体层包括多个元素的至少其中之一,且所述多个元素包括钾、铷以及铯,其中所述多个元素的至少其中之一在所述第一侧的浓度高于在所述第二侧的浓度。
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