[发明专利]薄膜晶体管和阵列基板在审
| 申请号： | 201710161372.6 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN106952962A | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 孟虎;梁学磊;夏继业;黄奇 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司11438 | 代理人： | 袁礼君,姜怡 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种薄膜晶体管和阵列基板。该薄膜晶体管包括源极、漏极以及有源层，该薄膜晶体管还包括位于所述有源层与所述源极和/或所述漏极之间的阻挡层。本公开可以降低薄膜晶体管的关态电流并抑制双极性效应。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括源极、漏极以及有源层，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：位于所述有源层与所述源极和/或所述漏极之间的阻挡层。
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