[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供包括像素区的衬底，像素区包括相邻感光区域和浮置扩散区域；在感光区域衬底内形成深掺杂区；在浮置扩散区域衬底内形成浮置扩散区；在感光区域和浮置扩散区域交界处衬底上形成栅极结构；形成保形覆盖栅极结构和衬底的侧墙膜；去除浮置扩散区域的栅极结构顶部和衬底上的侧墙膜，剩余侧墙膜作为侧墙；以侧墙为掩膜在栅极结构一侧的浮置扩散区内形成第一源漏掺杂区；在第一源漏掺杂区上形成金属连接层；在衬底上形成层间介质层；在层间介质层内形成与金属连接层电连接的源漏接触孔插塞。本发明避免对感光区域造成等离子体损伤以及衬底电荷残留问题，还避免由第一源漏掺杂区过刻蚀所引起的漏电流问题。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括用于形成像素结构的像素区，所述像素区包括相邻的感光区域和浮置扩散区域，其中所述衬底内具有第一掺杂离子；在所述感光区域的衬底内形成深掺杂区，所述深掺杂区内具有第二掺杂离子，且所述第二掺杂离子类型与所述第一掺杂离子类型不同；在所述浮置扩散区域的衬底内形成浮置扩散区，所述浮置扩散区内具有第三掺杂离子，且所述第三掺杂离子类型与所述第一掺杂离子类型不同；在所述感光区域和浮置扩散区域交界处的衬底上形成栅极结构；形成保形覆盖所述栅极结构和衬底的侧墙膜；去除位于所述浮置扩散区域的栅极结构顶部、以及所述浮置扩散区域衬底上的所述侧墙膜，保留位于所述感光区域的衬底上、所述栅极结构的侧壁上、以及所述感光区域的栅极结构顶部上的所述侧墙膜，且剩余所述侧墙膜作为侧墙；以所述侧墙为掩膜，在所述栅极结构一侧的浮置扩散区内形成第一源漏掺杂区，所述第一源漏掺杂区内具有第四掺杂离子，且所述第四掺杂离子类型与所述第一掺杂离子类型不同；在所述第一源漏掺杂区上形成金属连接层；形成所述金属连接层后，在所述栅极结构露出的衬底上形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述栅极结构；在所述层间介质层内形成与所述金属连接层电连接的源漏接触孔插塞。