[发明专利]制备垂直有机场效应晶体管的方法及垂直有机场效应晶体管

摘要

本发明涉及制备垂直有机场效应晶体管的方法及垂直有机场效应晶体管。更具体而言，本发明涉及一种制备垂直有机场效应晶体管的方法，其中具有层配置的垂直有机场效应晶体管被制备在衬底上，所述层配置包含晶体管电极、电绝缘层(25；34)和有机半导体层(28)，晶体管电极也就是第一电极(23；24)、第二电极(23；24)和第三电极(32)。另外，本发明还提供了一种垂直有机场效应晶体管，其包含衬底(21)上的具有晶体管电极的层配置。

主权项

一种制备垂直有机场效应晶体管的方法，其中带有层配置的垂直有机场效应晶体管是制备在衬底上的，所述层配置包含晶体管电极、电绝缘层(25；33)以及有机半导体层(28)，晶体管电极也就是第一电极(23；24)、第二电极(23；24)和第三电极(32)，其中该方法包含下述步骤：‑提供衬底(21)，‑在衬底(21)上沉积选择性粘附层(22)，‑制备垂直有机场效应晶体管的部分层结构(20)，部分层结构(20)包含至少一个晶体管电极(23；24)和至少一个电绝缘层(25)，晶体管电极和电绝缘层在各自的直接接触区域(26；27)中粘附至选择性粘附层(22)，‑通过将至少一种有机半导体材料粘附沉积在部分层结构(20)上且所述选择性粘附层(22)阻止所述至少一种有机半导体材料粘附沉积在所述部分层结构(20)之外，来制备至少一个有机半导体层(28)；以及‑制备垂直有机场效应晶体管的剩余部分层结构(31)。