[发明专利]一种支撑结构的MEMS压电谐振器有效
申请号: | 201710164136.X | 申请日: | 2017-03-20 |
公开(公告)号: | CN106982042B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 鲍景富;李昕熠;秦风;张超;张亭;张翼 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/24 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 甘茂 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明属于射频通信及微机电系统(MEMS)技术领域,提供一种新型支撑结构的MEMS压电谐振器,用以克服现有MEMS谐振器的Q值低的缺陷;本发明MEMS压电谐振器结构中增加圆形外框和内支撑梁,采用硅振动块‑内支撑梁‑圆形外框‑外支撑梁‑基底的连接方式,且将圆形外框与外支撑梁的连接位置选取在机械波在圆形外框中传播时的驻波节点处,从而使内支撑梁传导出的两股机械波在节点处反相而相互抵消,显著减小从谐振体到基底通过支撑梁传导造成的能量耗散,降低锚点损耗,从而提升谐振器的品质因数Q。 | ||
搜索关键词: | 一种 支撑 结构 mems 压电 谐振器 | ||
【主权项】:
一种新型支撑结构的MEMS压电谐振器,包括:硅振动块(1)、压电薄膜2、输入电极(3‑1)、输出电极(3‑2)、支撑台(15‑1、15‑2)、外支撑梁(14‑1、14‑2)、氧化绝缘层(8‑1、8‑2、9‑1、9‑2、10‑1、10‑2、11‑1、11‑2、16‑1、16‑2)、焊盘(7‑1、7‑2)、导电薄膜层(4‑1、4‑2、5‑1、5‑2、6‑1、6‑2)及基底(17‑1,17‑2),其中,所述支撑台设置于基底上,所述焊盘设置于支撑台上,焊盘与支撑台之间、支撑台与基底之间均设置氧化绝缘层;其特征在于,所述MEMS压电谐振器还包括:圆形外框(13)和内支撑梁(12‑1、12‑2),所述硅振动块通过内支撑梁连接圆形外框,所述圆形外框通过外支撑梁与支撑台连接为一体,所述硅振动块上设置压电薄膜,所述压电薄膜上设置输入电极与输出电极,所述输入电极、输出电极通过设置于内支撑梁、圆形外框、外支撑梁上的导电薄膜层与焊盘连接,所述导电薄膜层与内支撑梁、圆形外框及外支撑梁之间设置氧化绝缘层;所述圆形外框与外支撑梁的连接位置为机械波在圆形外框中传播时的驻波节点处。
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