[发明专利]形成图案的方法以及光掩模在审
| 申请号： | 201710165144.6 | 申请日： | 2017-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN106873304A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 廖峰;林允植;崔贤植;严允晟;方正;张世玉;牛海军 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司11438 | 代理人： | 姜怡,王卫忠 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种光掩模和一种用于形成图案的方法。光掩模包括第一透光区域和第二透光区域；以及遮光图案，形成在所述第二透光区域中以遮挡所述第二透光区域的一部分，其中所述遮光图案不透光。根据本发明，利用具有第一透光区域、第二透光区域以及遮光图案的光掩模，并且遮光图案形成在所述第二透光区域中以遮挡所述第二透光区域的一部分，其中所述遮光图案不透光。能够使第一透光区域和第二透光区域的透光量不同，因此使得感光材料的对应于第二透光区域和第二透光区域的不同区域具有不同的曝光量，从而能够形成具有不同高度的图案。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 图案 方法 以及 光掩模 | ||
【主权项】：
一种光掩模，包括：第一透光区域和第二透光区域；以及遮光图案，形成在所述第二透光区域中以遮挡所述第二透光区域的一部分，其中所述遮光图案不透光。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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