[发明专利]一种碳化硅单晶晶片基平面弯曲的测试方法在审
| 申请号： | 201710165295.1 | 申请日： | 2017-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN107024493A | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 崔潆心;胡小波;徐现刚;谢雪健 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | G01N23/20 | 分类号： | G01N23/20 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙)51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 针对单晶生长工艺和高性能器件制备的需求，本发明公开了一种碳化硅单晶晶片基平面弯曲的测试方法，为全面了解SiC单晶晶片的基平面弯曲特性，该测试方法主要利用高分辨X射线衍射技术，对样品表面六个直径方向进行了摇摆曲线的扫描测试；通过测定碳化硅单晶晶片六个直径方向上衍射晶面的摇摆曲线、分析衍射峰位的变化趋势并借助Matlab软件三维模拟，即可获得大直径4H‑SiC单晶晶片的基平面弯曲特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶片 平面 弯曲 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅单晶晶片基平面弯曲的测试方法，其特征在于：一，选择碳化硅单晶表面的六个直径方向；二，根据所选六个直径方向对碳化硅单晶表面进行摇摆曲线扫描，获得衍射峰位与衍射位置，将获得的衍射峰位与衍射位置进行处理得到摇摆曲线衍射峰位沿各直径方向的分布曲线；三，根据摇摆曲线衍射峰位沿各直径方向的分布曲线，对获得的六个径向方向的衍射峰位进行拟合处理，拟合处理后获得基平面弯曲三维示意图；四，根据基平面弯曲三维示意图得出基平面的弯曲特性情况，结束测试；当碳化硅单晶晶片存在晶面弯曲时，实际测试衍射峰位随着衍射位置的变化而发生改变，因此根据基平面弯曲三维示意图判断待测样品晶面的凹凸弯曲。
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