[发明专利]VFTO抑制装置、阻尼母线单元、母线及GIS在审

专利信息
申请号: 201710165822.9 申请日: 2017-03-20
公开(公告)号: CN106972396A 公开(公告)日: 2017-07-21
发明(设计)人: 裴涛;金光耀;柏长宇;郭煜敬;李丽娜;王志刚;叶三排;杜丽平 申请(专利权)人: 平高集团有限公司;国家电网公司;国网山东省电力公司检修公司
主分类号: H02B13/025 分类号: H02B13/025;H02G5/06
代理公司: 郑州睿信知识产权代理有限公司41119 代理人: 陈晓辉
地址: 467001 *** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明涉及高压电器领域,特别是涉及到了一种VFTO抑制装置、阻尼母线单元、母线及GIS。VFTO抑制装置包括套式的绝缘外壳,所述绝缘外壳的壁中设置有至少一个磁环。本发明的VFTO抑制装置通过在磁环外部设置绝缘外壳的方式,杜绝了磁环铁氧体材料掉渣、掉块以及碰损(掉块、断裂等)的问题的出现,从而可实际应用于GIS中,结构简单,无动作部件,从而可简化GIS隔离开关的结构,降低GIS成本。
搜索关键词: vfto 抑制 装置 阻尼 母线 单元 gis
【主权项】:
VFTO抑制装置,其特征在于,包括套式的绝缘外壳,所述绝缘外壳的壁中设置有至少一个磁环。
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