[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201710167444.8 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN108622842A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 张健;丁敬秀 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00;H04R9/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘剑波 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中半导体装置包括衬底以及位于衬底上的振动膜和覆盖层，其中部分覆盖层位于振动膜的上方，衬底、振动膜和覆盖层形成空腔；其中衬底包括能够露出振动膜的至少部分下表面的开口、以及设在所述开口侧壁上的至少一个支撑部。由于在衬底的开口侧壁上设有支撑部，因此当振动膜发生形变时，支撑部能够为振动膜提供支撑，以免振动膜发生断裂。同时由于支撑部与振动膜的接触面积有限，因此并不会对半导体装置的信噪比造成影响。 | ||
| 搜索关键词： | 振动膜 衬底 半导体装置 覆盖层 支撑 开口侧壁 半导体技术领域 下表面 信噪比 形变 空腔 制造 断裂 开口 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的振动膜和覆盖层，其中部分所述覆盖层位于所述振动膜的上方，所述衬底、所述振动膜和所述覆盖层形成空腔；其中，所述衬底包括能够露出所述振动膜的至少部分下表面的开口、以及设在所述开口侧壁上的至少一个支撑部。
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