[发明专利]基于黑磷的具有高开关比低亚阀值摆幅的场效应晶体管有效
| 申请号： | 201710167657.0 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN108630759B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 刘晶;范双青 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L21/34 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎;李薇 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供基于黑磷的具有高开关比低亚阀值摆幅的场效应晶体管，其特征在于：包括设置在最底层的硅衬底，所述硅衬底的顶端设有热氧化的二氧化硅，所述热氧化的二氧化硅的顶端设有薄层黑磷，所述薄层黑磷的左右两侧分别设有漏电极和源电极，所述薄层黑磷利用浸泡在刻蚀溶液中的方法制备，刻蚀温度为室温20‑25℃，所述刻蚀溶液为(1‑50)：(1‑50)的2,2,6,6‑四甲基哌啶氧化物和三苯基四氟硼酸碳的二氯甲烷溶液，刻蚀浸泡时间为5min‑7h。本发明的有益效果是得到的黑磷场效应晶体管具有很高的开关比，很低的亚阈值摆幅。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 黑磷 具有 开关 低亚阀值摆幅 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.基于黑磷的具有高开关比低亚阀值摆幅的场效应晶体管，其特征在于：包括设置在最底层的硅衬底，所述硅衬底的顶端设有热氧化的二氧化硅，所述热氧化的二氧化硅的顶端设有薄层黑磷，所述薄层黑磷的左右两侧分别设有漏电极和源电极，所述薄层黑磷利用浸泡在刻蚀溶液中的方法制备，刻蚀温度为室温20‑25℃，所述刻蚀溶液为(1‑50)：(1‑50)的2,2,6,6‑四甲基哌啶氧化物和三苯基四氟硼酸碳的二氯甲烷溶液，刻蚀浸泡时间为5min‑7h。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710167657.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
