[发明专利]无损式自清洁硅片插片装置有效
申请号: | 201710167751.6 | 申请日: | 2017-03-20 |
公开(公告)号: | CN106711073B | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
发明(设计)人: | 孙铁囤;姚伟忠;汤平 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 郑云 |
地址: | 213000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及太阳能电池片生产制造技术领域,尤其是一种无损式自清洁硅片插片装置,底座上通过立柱固定有层板,层板上通过侧板固定有平台,小花篮开口端的左右两侧端面均嵌入有条形铁片,小花篮的开口端盖设有托板,托板的左右两侧均设置有用于与条形铁片吸附的第一磁铁,托板的下表面设置有第二磁铁,大花篮的底面具有与托板相匹配的缺口,通过将小花篮中的硅片随托板一并下降至大花篮中,喷出管上气孔喷出的气流对硅片具有一个向上的托力,降低了硅片落在大花篮底部时的冲击力,避免硅片的边缘发生损坏,同时向上喷出的气流可以将硅片表面的灰尘吹拂,保证硅片的洁净度,避免下道工艺之前还需对硅片进行清洁,还提高了硅片的插片效率。 | ||
搜索关键词: | 无损 清洁 硅片 装置 | ||
【主权项】:
一种无损式自清洁硅片插片装置,包括用于承载相同硅片的大花篮(22)和小花篮(23),大花篮(22)和小花篮(23)均具有开口向上的容纳腔,容纳腔内均等间隔分布有若干用于插设硅片的插槽(24),大花篮(22)中相邻两个插槽(24)的间距与小花篮(23)中相邻两个插槽(24)的间距相等,其特征在于:还包括底座(1),所述底座(1)上通过立柱(2)固定有层板(3),所述层板(3)上通过侧板(4)固定有平台(5),所述平台(5)上开设有与所述小花篮(23)相匹配的第一通孔(501),所述层板(3)上开设有与第一通孔(501)相匹配的第二通孔(301),所述第二通孔(301)位于第一通孔(501)的正下方,所述小花篮(23)开口端的前后两侧分别向外延伸有侧翼(23‑1),小花篮(23)前后两端的侧翼(23‑1)分别支撑在平台(5)上位于第一通孔(501)的两侧,所述小花篮(23)开口端的左右两侧端面均嵌入有条形铁片(23‑2),所述小花篮(23)的开口端盖设有托板(6),所述托板(6)的左右两侧均设置有用于与条形铁片(23‑2)吸附的第一磁铁(7),所述托板(6)的下表面设置有第二磁铁(8),所述大花篮(22)的底面具有与托板(6)相匹配的缺口(22‑1);所述层板(3)的上表面固定有推动气缸(9),所述推动气缸(9)的伸出端与滑座(10)固定连接,所述滑座(10)滑动设置在层板(3)的上表面,所述滑座(10)上开设有与大花篮(22)相匹配的定位槽,所述定位槽的底面开设有第三通孔(10‑1),定位槽与第三通孔(10‑1)之间形成台阶面;所述底座(1)上固定有伸出端朝上的顶升气缸(11),所述顶升气缸(11)的伸出端上固定有托杆(12),所述托杆(12)依次穿过第二通孔(301)、第三通孔(10‑1)及第一通孔(501),所述托杆(12)的顶端固定有用于与第二磁铁(8)吸附的第三磁铁(13),所述第二磁铁(8)与第三磁铁(13)之间的吸附力大于第一磁铁(7)与条形铁片(23‑2)之间的吸附力;所述层板(3)的下方设置有气泵(14),所述气泵(14)的出气端连接有喷出管(15),所述喷出管(15)位于第二通孔(301)的正下方,所述喷出管(15)的侧壁上沿其轴向方向等间隔分布有若干气孔,所述气孔的轴线与托杆(12)的轴线平行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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