[发明专利]制备基板上晶体岛的方法在审
| 申请号： | 201710167835.X | 申请日： | 2017-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN107068545A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 道格拉斯·R·迪卡尔 | 申请（专利权）人： | 迪夫泰克激光公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所32237 | 代理人： | 贺翔,杨文晰 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 某些电子应用，例如，有机发光二极管显示背板，要求在大面积上分布高品质半导体材料小岛。该面积超出了利用传统的基于晶锭的技术所能够制造的晶体半导体晶片的面积。本申请提供了一种岛状材料晶体岛的制造方法，该方法包括将岛状材料颗粒沉积在基板上，加热基板和岛状材料颗粒以熔化和融合颗粒从而形成熔球，然后冷却基板和熔球使熔球结晶，从而将岛状材料晶体岛固定在基板上。该方法可以用于在大面积范围内制造晶体岛阵列，远超基于传统晶锭技术所能制造的晶体半导体晶片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 基板上 晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种制备基板上晶体岛的方法，该方法包括：将岛状材料沉积在基板上；加热所述基板和所述岛状材料，所述加热熔化所述岛状材料以形成熔球，所述加热形成包括氧和所述岛状材料的熔盘，所述熔盘处在所述熔球和所述基板之间；以及冷却所述基板、所述熔球和所述熔盘以结晶所述熔球从而形成结晶群，所述结晶群的至少一部分形成岛状材料晶体岛。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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