[发明专利]一种三维封装电路中金丝键合的电容补偿及其设计方法有效
| 申请号： | 201710168327.3 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN107068658B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 朱浩然;倪涛;戴跃飞 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
| 主分类号： | H01L23/66 | 分类号： | H01L23/66;H01P5/02;H05K1/16 |
| 代理公司： | 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 | 代理人： | 丁瑞瑞 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维封装电路中金丝键合的电容补偿，包括微波多层电路介质基板，所述微波多层电路介质基板表面第一层传输线上设有电容补偿结构，所述微波多层电路介质基板垂直方向上中间层传输线上设有电容补偿结构，传输线之间通过金丝键合线连接。本发明有效解决了三维封装电路中金丝键合的阻抗匹配问题，充分利用了多层电路的空间，对金丝键合的寄生电感效应进行电容补偿结构设计，尤其是在垂直方向上添加电容补偿结构；与传统方法相比，可以减小仅在表层传输线上进行电容补偿所需的面积。基于本发明的金丝键合电容补偿结构，可以改善多芯片电路中传输线与芯片、传输线和传输线之间的微波传输特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 封装 电路 金丝 电容 补偿 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种三维封装电路中金丝键合的电容补偿，包括微波多层电路介质基板，所述微波多层电路介质基板表面第一层传输线上设有电容补偿结构，其特征在于，所述微波多层电路介质基板垂直方向上中间层传输线上设有电容补偿结构，传输线之间通过金丝键合线(F301)连接。
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