[发明专利]铁皮石斛的高产种植方法

摘要

本发明公开了一种铁皮石斛的高产种植方法，包括步骤一、提供温室大棚环境，温室大棚内被划分为多个种植区域，每个种植区域内均设置有一罩部，罩部包括一设置于地面上的升降机构和设置于升降机构顶端的罩体，罩体采用不透光材料，罩体在升降机构的驱动下罩住其所在的种植区域，温室大棚外壁的中央部位处还设置有遮光部，遮光部包括设置于温室大棚外壁中央的卷动轴、缠绕于卷动轴上的黑色遮光布和驱动卷动轴旋转地驱动机构，驱动机构设置于温室大棚旁；步骤二、取原料制成铁皮石斛的培养基质；步骤三、将铁皮石斛种子播种于培养基质中，培养得到铁皮石斛小苗；步骤四、将铁皮石斛小苗移栽至该30～40cm的培养基质中，培养，得到铁皮石斛。

主权项

一种铁皮石斛的高产种植方法，其特征在于，包括：步骤一、提供一温室大棚环境，于温室大棚内进行铁皮石斛的种植，所述温室大棚内被划分为多个种植区域，每个种植区域内均设置有一罩部，所述罩部包括一设置于地面上的升降机构和设置于所述升降机构顶端的罩体，所述罩体采用不透光材料，所述罩体在所述升降机构的驱动下罩住其所在的种植区域，所述温室大棚外壁的中央部位处还设置有遮光部，所述遮光部包括设置于所述温室大棚外壁中央的卷动轴、缠绕于所述卷动轴上的黑色遮光布和驱动所述卷动轴旋转地驱动机构，所述驱动机构设置于所述温室大棚旁；步骤二、按照如下重量份数取原料制成铁皮石斛的培养基质，取黑土40～60份、松树皮15～25份、马铃薯3～10份、砂石5～10份、花生壳10～20份、大蒜3～10份和蝙蝠粪3～20份，于温度120～125℃下灭菌20～30min，之后发酵10～20天，然后加入蛭石40～50份，混匀，得到培养基质；步骤三、首先于所述温室大棚内铺设10～20cm的所述培养基质，并将铁皮石斛种子播种于所述培养基质中，于光照温度22～28℃、黑暗温度20～22℃，光周期8～16小时/日，光照度800～2000lx和湿度50～70％条件下培养1年，得到铁皮石斛小苗；步骤四、于所述温室大棚内铺设30～40cm的所述培养基质，之后将所述铁皮石斛小苗移栽至该30～40cm的所述培养基质中，于温度18～24℃、黑暗温度15～18℃，光周期10～12小时/日，光照度1800～2000lx和湿度40～60％条件下培养1～2年年，得到铁皮石斛。