[发明专利]包括InGaAs沟道的FET装置及制造该FET装置的方法有效
| 申请号： | 201710168778.7 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN107221499B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 博尔纳·J·奥布拉多维奇;帝泰什·拉克西特;马克·S·罗德尔 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/10;H01L29/201;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;邱玲 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供了包括InGaAs沟道的FET装置及其制造方法。根据本发明构思的实施例，制造具有设定的BTBT泄漏电流和最大V |
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| 搜索关键词： | 包括 ingaas 沟道 fet 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造场效应晶体管(FET)装置的方法，所述FET装置具有设定的带带隧穿(BTBT)泄漏电流和最大电源电压(VDD)，所述方法包括：根据所述BTBT泄漏电流和所述最大VDD确定InxGa1‑xAs中的x值，其中，x在0.0和1.0之间；以及利用InxGa1‑xAs形成沟道，其中，x不为0.53。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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