[发明专利]硅衬底片抛光方法和装置在审
| 申请号： | 201710168988.6 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN107030583A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 赵慧佳;姜博成;金军;路新春;沈攀 | 申请（专利权）人： | 天津华海清科机电科技有限公司;清华大学 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 黄德海 |
| 地址： | 300350 天津市津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提出一种硅衬底片抛光方法和装置，其中，方法包括对硅衬底片进行粗略抛光；对粗略抛光后的硅衬底片进行精细抛光。该方法通过粗略抛光和精细抛光两个工艺步骤对硅衬底片进行抛光，减少了工艺步骤，缩短了加工工艺时间，且抛光后的硅衬底片的表面粗糙度更小。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 抛光 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种硅衬底片抛光方法，其特征在于，包括：对硅衬底片进行粗略抛光；对粗略抛光后的硅衬底片进行精细抛光。
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