[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板在审
申请号: | 201710169661.0 | 申请日: | 2017-03-21 |
公开(公告)号: | CN106887439A | 公开(公告)日: | 2017-06-23 |
发明(设计)人: | 金慧俊 | 申请(专利权)人: | 上海中航光电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司11204 | 代理人: | 王达佐,马晓亚 |
地址: | 201108 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本申请公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板,该阵列基板的制作方法包括在衬底的一侧表面依次覆盖遮光材料层、第一绝缘层、半导体层和源漏金属层,并利用第一半色调掩模板曝光显影形成晶体管源极、晶体管漏极、有源层和遮光层;在晶体管源极和晶体管漏极上覆盖第二绝缘层,利用第二掩模板曝光显影形成贯穿第二绝缘层的第一通孔,且第一通孔暴露晶体管漏极;在第二绝缘层上依次覆盖电极材料层和栅极金属层,利用第三半色调掩模板曝光显影形成晶体管栅极、像素电极和公共电极,其中,像素电极覆盖第一通孔,像素电极通过第一通孔与晶体管漏极电连接。上述制作方法可以三次利用掩模板完成阵列基板的制作,降低了阵列基板的生产成本。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:在衬底的一侧表面依次覆盖遮光材料层、第一绝缘层、半导体层和源漏金属层,并利用第一半色调掩模板曝光显影形成晶体管源极、晶体管漏极、有源层和遮光层,其中,所述晶体管源极和晶体管漏极位于所述源漏金属层,所述有源层位于所述半导体层,所述遮光层位于所述遮光材料层;在所述晶体管源极和晶体管漏极上覆盖第二绝缘层,利用第二掩模板曝光显影形成贯穿所述第二绝缘层的第一通孔,且所述第一通孔暴露所述晶体管漏极;在所述第二绝缘层上依次覆盖电极材料层和栅极金属层,利用第三半色调掩模板曝光显影形成晶体管栅极、像素电极和公共电极,其中,所述像素电极和所述公共电极在所述电极材料层交替排列,所述像素电极覆盖所述第一通孔,所述像素电极通过所述第一通孔与所述晶体管漏极电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的