[发明专利]一种湿法刻蚀设备和湿法刻蚀的方法有效
| 申请号： | 201710170551.6 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN106898569B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 赵德江 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张京波;曲鹏 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种湿法刻蚀设备和湿法刻蚀的方法，其中，该湿法刻蚀设备包括：刻蚀腔，所述刻蚀腔内设置有可移动旋转的工作台和设置在工作台上方的喷头装置；所述工作台用于承载待刻蚀基板，所述待刻蚀基板包括覆盖基板上的薄膜层；所述喷头装置用于将刻蚀液逐个喷淋至待形成图案的每个像素对应的薄膜层上。本发明通过利用喷头装置将刻蚀液喷淋至待形成图案的每个像素对应的薄膜层上，实现每个像素单独进行刻蚀，不仅减少了刻蚀液的使用量，提高了刻蚀效率，而且能够方便的实现多层薄膜的刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 刻蚀 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种湿法刻蚀设备，其特征在于，包括：刻蚀腔，所述刻蚀腔内设置有可移动旋转的工作台和设置在工作台上方的喷头装置；所述工作台用于承载待刻蚀基板，所述待刻蚀基板包括覆盖基板上的薄膜层；所述喷头装置用于将刻蚀液逐个喷淋至待形成图案的每个像素对应的薄膜层上；喷头装置包括多个喷头，所述喷头包括：喷头主体、设置在喷头主体两侧的进液口和出液口、设置在所述喷头主体的上方的进气孔和负压孔以及多个可调节孔径的喷孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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