[发明专利]具有金属栅电极的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种方法，该方法包括提供衬底，在该衬底上具有第一开口和第二开口。在第一开口中形成阻挡层。在第二开口中形成第二金属栅电极，而阻挡层位于第一开口中。然后，从第一开口中去除阻挡层，并形成第一金属栅电极。在实施例中，这样提供了具有第二栅电极的器件，第二栅电极包括第二功函数层而不包括第一功函数层，并且第一栅电极包括第一功函数层而不包括第二功函数层。本发明还提供了一种具有金属栅电极的半导体器件及其制造方法。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有第一区和第二区的衬底，其中所述第一区包括第一开口并且所述第二区包括第二开口；以阻挡材料填充所述第二开口并形成阻挡层，其中所述阻挡材料包括非晶硅、旋涂玻璃、二氧化硅、和氮化硅(Si₃N₄)中的至少一种；当所述阻挡材料填充所述第二开口时，在所述第一开口中形成第一栅电极，其中在所述第一开口中形成所述第一栅电极包括：直接在栅极介电层上形成第一功函数层；直接在所述第一功函数层上形成第一填充金属层；以及平坦化所述第一填充金属层使得其顶面与所述第二开口中的所述阻挡材料的顶面共面；在形成所述第一栅电极之后去除所述阻挡材料；以及在所述第二开口中形成第二栅电极，其中，所述第二栅电极包括第二功函数层并且不包括所述第一功函数层，并且所述第一栅电极包括所述第一功函数层并且不包括所述第二功函数层，并且其中，在所述第二开口中形成所述第二栅电极包括：直接在所述栅极介电层上形成所述第二功函数层；以及直接在所述第二功函数层上形成第二填充金属层。