[发明专利]一种基于石墨烯多孔膜的离子浓差极化芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201710171940.0 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN106927541B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 李鑫;何翔;肖代琴;黄海宁;陈宏 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | G01N30/96 | 分类号： | G01N30/96;C02F1/44;B01D63/00;B01D69/12;B01D67/00;C02F103/08 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种基于石墨烯多孔膜的离子浓差极化芯片及其制备方法，涉及离子浓差极化芯片。芯片包括玻璃底座、PDMS基片、缓冲溶液的进出水口、第1PDMS基片中的石墨烯基多孔膜；第1PDMS基片带有Y形凹槽，第2PDMS基片带有I形凹槽。制备方法：配制石墨烯基前驱体浆料；制作芯片；将石墨烯基前驱体浆料涂抹在Y通道的切口处，固化后即得芯片。价格低，工艺简单，容易制取；石墨烯类材料自身属于弱酸，对器件的危害低；石墨烯类材料电导率调控方便，易于进行表面官能团与电荷调控，可与大量材料进行复合实现复合薄膜与器件的制备。较于Nafion基的芯片，石墨烯基的芯片能形成更稳定、范围更大的耗尽区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石墨 多孔 离子 极化 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于石墨烯多孔膜的离子浓差极化芯片，其特征在于包括：玻璃底座、第1PDMS基片、第2PDMS基片、Y形凹槽、I形凹槽、缓冲溶液的进出水口、第1PDMS基片中的石墨烯基多孔膜；所述第1PDMS基片带有Y形凹槽，所述第2PDMS基片带有I形凹槽；所述玻璃底座与第1PDMS基片带有Y形凹槽的一面连接，第1PDMS基片的另一面与第2PDMS基片带有I形凹槽的一面连接，设在第1PDMS基片上的盐水入口、淡化水出口和浓缩水出口分别与设在第2PDMS基片中的盐水入口、淡化水出口和浓缩水出口连通并形成三条通道，位于第1PDMS基片中Y形凹槽的一个分支的上部切口中的石墨烯基多孔膜的下端连接Y形凹槽，位于第1PDMS基片中Y形凹槽的一个分支的上部切口中的石墨烯基多孔膜的上端连接I形凹槽；所述缓冲溶液的进出水口设在I形凹槽上。
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