[发明专利]一种降低剩余振幅调制的装置有效

专利信息
申请号: 201710173451.9 申请日: 2017-03-22
公开(公告)号: CN107065234B 公开(公告)日: 2019-06-14
发明(设计)人: 郑耀辉;孙小聪;王雅君;彭堃墀 申请(专利权)人: 山西大学
主分类号: G02F1/03 分类号: G02F1/03;G02F1/00
代理公司: 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 代理人: 宋平
地址: 030006*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明设计了降低剩余振幅调制的装置。该装置包括一个三晶串联的电光调制装置,所述三个晶体分别为第一立方晶体、中间晶体和第二立方晶体;所述中间晶体为电光调制晶体,所述的中间晶体与所述高频信号源模块相连,所述中间晶体规格为Xmm×Ymm×dmm;所述第一立方晶体和第二立方晶体串联在中间晶体的X轴方向两端,所述第一立方晶体和第二立方晶体的相对介电常数与中间晶体的相对介电常数相等,所述第一立方晶体和第二立方晶体规格为d/2mm×Ymm×dmm。
搜索关键词: 一种 降低 剩余 振幅 调制 装置
【主权项】:
1.一种降低剩余振幅调制的装置,入射光平行于Y轴,外加电场的方向平行于d轴,调制光为出射光,出射光方向平行于Y轴,该装置包括高频信号源模块,其特征在于,还包括一个三晶串联的电光调制装置,所述三晶串联的电光调制装置由三个晶体串联,所述三个晶体分别为第一立方晶体、中间晶体和第二立方晶体;所述中间晶体为电光调制晶体,所述的中间晶体与所述高频信号源模块相连,所述中间晶体规格为4mm×40mm×3mm;所述第一立方晶体和第二立方晶体串联在中间晶体的X轴方向两端,所述第一立方晶体和第二立方晶体的相对介电常数与中间晶体的相对介电常数相等,所述第一立方晶体和第二立方晶体规格为1.5mm×40mm×3mm;其中,d轴、X轴和Y轴相互垂直,所述第一立方晶体和所述第二立方晶体均与所述中间晶体贴合而直接接触。
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