[发明专利]转换速率可控的半导体电源保护装置有效
| 申请号： | 201710173897.1 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN108233909B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 杰夫微电子（四川）有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理有限公司 51220 | 代理人： | 冯龙 |
| 地址： | 610000 四川省成都市天府新区天*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了转换速率可控的半导体电源保护装置，包括电源、PMOS管负载开关、使能开关、速率转换控制器、微控制器，所述电源与PMOS管负载开关的源极连接，PMOS管负载开关的漏极与负载连接，PMOS管负载开关的栅极与速率转换控制器连接，所述使能开关与速率转换控制器连接，所述微控制器与速率转换控制器连接；所述PMOS管负载开关用于控制浪涌电流；所述速率转换控制器用于控制PMOS管负载开关，所述使能开关用于控制速率转换控制器的工作状态，所述微控制器用于调节速率转换控制器的速率转换的快慢。本发明使用多种形式的速率转换控制器及其外围电路实现速率可调的电源保护开关，同时也使用PMOS管负载开关避免负载设备受到浪涌电流的损害。 | ||
| 搜索关键词： | 转换 速率 可控 半导体 电源 保护装置 | ||
【主权项】：
1.转换速率可控的半导体电源保护装置，其特征在于，包括电源、PMOS管负载开关、使能开关、速率转换控制器、微控制器，所述电源与PMOS管负载开关的源极连接，PMOS管负载开关的漏极与负载连接，PMOS管负载开关的栅极与速率转换控制器连接，所述使能开关与速率转换控制器连接，所述微控制器与速率转换控制器连接；所述PMOS管负载开关用于控制浪涌电流；所述速率转换控制器用于控制PMOS管负载开关，所述使能开关用于控制速率转换控制器的工作状态，所述微控制器用于调节速率转换控制器的速率转换的快慢。
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