[发明专利]发光二极管的外延片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制作方法，在图形衬底上设计和制备对位标记点并外延生长GaN单层，利用对位标记点精确对位，在GaN单层的高位错密度区域上制备位错延伸阻止薄膜层，利用侧向外延技术，达到图形衬底上凸起和平面区域以上整个外延层同时减少位错，提高GaN材料晶体质量，从而提高了LED芯片的光电性能。

主权项

1.一种发光二极管的外延片制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上制备出多个圆锥图形结构，并在所述衬底的平面区域上标识出对位标记点；在所述衬底上依次生长低温GaN成核层和第一非掺杂GaN缓冲层，所述低温GaN成核层高度与所述第一非掺杂GaN缓冲层厚度之和低于所述圆锥图形结构高度的1.5倍；根据所述对位标记点在所述第一非掺杂GaN缓冲层上对应形成位错延伸阻止薄膜层，具体包括：在所述第一非掺杂GaN缓冲层上沉积位错延伸阻止薄膜材料；在所述位错延伸阻止薄膜材料上形成光刻胶；根据所述对位标记点进行套刻，光刻显影后去除对应所述对位标记点正上方以外区域的光刻胶；去除裸露的位错延伸阻止薄膜材料；去除剩余光刻胶，形成位错延伸阻止薄膜层；其中，所述位错延伸阻止薄膜层的宽度大于或等于圆锥图形结构间距，且小于所述圆锥图形结构间距与圆锥图形结构底宽之和；在所述位错延伸阻止薄膜层和裸露的第一非掺杂GaN缓冲层上生长第二非掺杂GaN缓冲层；转换为二维生长后，在所述第二非掺杂GaN缓冲层上依次生长nGaN层、多量子阱层以及pGaN层。