[发明专利]一种表面等离子激元增强型纳米微腔结构的太阳电池有效
申请号: | 201710174398.4 | 申请日: | 2017-03-22 |
公开(公告)号: | CN107302034B | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 黄茜;仝玉鹏;张晓丹;赵颖 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/075;H01L31/0445 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种表面等离子激元增强型纳米微腔结构的太阳电池,包括一个具有表面等离子激元增强特性的复合三维纳米微腔和一个PIN或NIP型薄膜太阳电池。其中具有表面等离子激元增强特性的复合三维纳米微腔由氧化物三维纳米结构与金属纳米颗粒构成;其中薄膜太阳电池包括无机薄膜太阳电池、有机薄膜太阳电池及由以上两种中至少一种构成的叠层太阳电池。本发明有益效果是:将金属纳米颗粒的表面等离子激元作用引入三维纳米微腔陷光结构中,获得具有定域化高能电场的纳米微腔结构,以增强光程拓展、提升光子剪裁与调制效果,获得良好陷光效果,并优化电荷收集性能,该结构能够获得提高电池有效光学吸收效率及降低光生载流子复合几率的良好效果,可应用于各类薄膜太阳电池中,利于电池光学及电学特性的同步提升。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面 等离子 增强 纳米 结构 太阳电池 | ||
【主权项】:
一种表面等离子激元增强型纳米微腔结构的太阳电池,包括一个具有表面等离子激元增强特性的复合纳米结构和一个PIN或NIP型薄膜太阳电池,其特征在于:所述薄膜太阳电池直接沉积于复合纳米结构之上,构成三维纳米微腔结构;所述表面等离子激元增强型纳米微腔太阳电池具有显著的光吸收增强效果。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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