[发明专利]方向性的图案化方法在审
申请号: | 201710174511.9 | 申请日: | 2017-03-22 |
公开(公告)号: | CN107887260A | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 洪继正;刘如淦;林纬良;游大庆;严永松;方子韦;高蔡胜;林进祥;陈桂顺 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 冯志云,王芝艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 方向性的图案化方法公开于此。例示性的方法包含进行光刻工艺以形成图案化的硬掩模层于晶片上,其中图案化的硬掩模层包含硬掩模结构,其具有相关的水平定义特征。调整蚀刻工艺,以将蚀刻品导入实质上水平的方向(相对于晶片的水平面),因此蚀刻工艺水平地移除部分图案化的硬掩模层,以调整硬掩模结构的水平定义特征。形成集成电路结构,其对应具有调整后的水平定义特征的硬掩模结构。水平定义的特征可包含长度、宽度、线路边缘粗糙度、线宽粗糙度、线路末端轮廓、其他水平定义特征、或上述的组合。在一些实施例中,方向性的图案化方法可达斜向内连线及/或狭缝状(矩形)的通孔内连线。 | ||
搜索关键词: | 方向性 图案 方法 | ||
【主权项】:
一种方向性的图案化方法,包括:形成一图案化硬掩模层于一晶片上,其中该图案化的硬掩模层包含一硬掩模结构;以及进行一表面的方向性蚀刻工艺,以调整该硬掩模结构的水平轮廓,其中该表面的方向性蚀刻工艺相对于该晶片的水平表面,将蚀刻品导向一实质上水平的方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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